Ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН изучают возможность создания флеш-памяти с использованием мультиграфена: по быстродействию и времени хранения информации он может превосходить аналоги, основанные на других материалах. Правда, отмечают ученые, говорить о масштабном

В Институте физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН выяснили, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах. Об этом сообщается на сайте «Наука в Сибири».   В